IRF640NPBF Infineon

批次： - -

庫存：

起訂量：

最小包裝量：

商品型號： IRF640NPBF

制造商： Infineon

FET 類型： N 通道

技術： MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）： 200V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： 18A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 150 毫歐 @ 11A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）： 67nC @ 10V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 1160pF @ 25V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 150W（Tc）

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型： 通孔

供應商器件封裝： TO-220AB

封裝/外殼： TO-220-3