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Nexperia

數據手冊

二極管配置:1 對共陽極

二極管類型:肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):30V

電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):200mA(DC)

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):800mV @ 100mA

速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢復時間 (trr):5ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:2μA @ 25V

工作溫度 - 結:150°C(最大)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供應商器件封裝:TO-236AB

Fairchild

數據手冊

二極管類型:標準

電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):125V

電流 - 平均整流 (Io):200mA

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.15V @ 300mA

速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:3nA @ 125V

不同?Vr、F 時電容:6pF @ 0V,1MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商器件封裝:SOD-80

工作溫度 - 結:175°C(最大)

IGBT 類型:-

電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):40A

電流 - 集電極脈沖 (Icm):160A

不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,20A

功率 - 最大值:160W

開關能量:160μJ(開),200μJ(關)

輸入類型:標準

柵極電荷:97nC

25°C 時 Td(開/關)值:15ns/65ns

測試條件:300V,20A,10 歐姆,15V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3

供應商器件封裝:TO-3P

電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V

容差:±5%

功率 - 最大值:500mW

阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:1μA @ 5V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA

工作溫度:-55°C ~ 150°C

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SOD-123

供應商器件封裝:SOD-123

Toshiba

數據手冊

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):5A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):1V @ 100mA,4A

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):160 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:1W

頻率 - 躍遷:170MHz

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

供應商器件封裝:PW-MOLD

Infineon

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):75A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):3.1 毫歐 @ 75A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):110nC @ 5V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5080pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):230W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:D2PAK

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

IGBT 類型:溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60A

電流 - 集電極脈沖 (Icm):120A

不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,30A

功率 - 最大值:189W

開關能量:750μJ(開),540μJ(關)

輸入類型:標準

柵極電荷:90nC

25°C 時 Td(開/關)值:57ns/109ns

測試條件:400V,30A,10 歐姆,15V

反向恢復時間 (trr):200ns

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-247-3

供應商器件封裝:TO-247

VISHAY

數據手冊

二極管類型:標準

電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):400V

電流 - 平均整流 (Io):1A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.25V @ 1A

速度:快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢復時間 (trr):50ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:5μA @ 400V

不同?Vr、F 時電容:15pF @ 4V,1MHz

安裝類型:通孔

封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向

供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41)

工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C

Nexperia

數據手冊

電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):16V

容差:±5%

功率 - 最大值:1W

阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:50nA @ 11V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1V @ 50mA

工作溫度:200°C

安裝類型:通孔

封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向

供應商器件封裝:DO-41

二極管配置:1 對共陰極

二極管類型:肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):45V

電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):10A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):750mV @ 10A

速度:快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:200μA @ 45V

工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應商器件封裝:TO-220AB

電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V

容差:±5%

功率 - 最大值:300mW

阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:2μA @ 1.5V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.1V @ 10mA

工作溫度:-55°C ~ 150°C

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:0201(0603 公制)

供應商器件封裝:2-X3DFN(0.62x0.32)

Diodes

數據手冊

FET 類型:P 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):7.7A(Ta)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):25 毫歐 @ 5A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):53.1nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2569pF @ 30V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1W(Ta)

工作溫度:-55°C ~ 155°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PowerDI3333-8

封裝/外殼:8-PowerVDFN

VISHAY

數據手冊

電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V

容差:±2%

功率 - 最大值:500mW

阻抗(最大值)(Zzt):250 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:100nA @ 56V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.5V @ 200mA

工作溫度:-65°C ~ 175°C

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商器件封裝:SOD-80 MiniMELF

VISHAY

數據手冊

電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):3.6V

容差:-

功率 - 最大值:500mW

阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:5μA @ 1V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.5V @ 200mA

工作溫度:-65°C ~ 175°C

安裝類型:通孔

封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向

供應商器件封裝:DO-35

Comchip

數據手冊

電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.2V

容差:±5%

功率 - 最大值:150mW

阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:100μA @ 1V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA

工作溫度:-55°C ~ 125°C

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:2-SMD,無引線

供應商器件封裝:0603/SOD-523F

Diodes

數據手冊

電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V

容差:±5%

功率 - 最大值:150mW

阻抗(最大值)(Zzt):17 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:5μA @ 2V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):900mV @ 10mA

工作溫度:-65°C ~ 150°C

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SOT-523

供應商器件封裝:SOT-523

VISHAY

數據手冊

結構:串聯 - SCR/二極管

SCR 數,二極管:1 SCR,1 個二極管

電壓 - 斷態:1.6kV

電流 - 通態 (It (AV))(最大值):105A

電流 - 通態 (It (RMS))(最大值):235A

電壓 - 柵極觸發 (Vgt)(最大值):2.5V

電流 - 柵極觸發 (Igt)(最大值):150mA

電流 - 非重復浪涌 50、60Hz (Itsm):2000A,2094A

電流 - 保持 (Ih)(最大值):250mA

工作溫度:-40°C ~ 130°C(TJ)

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:ADD-A-PAK(3)

雙向可控硅類型:標準

電壓 - 斷態:600V

電流 - 通態 (It (RMS))(最大值):8A

電壓 - 柵極觸發 (Vgt)(最大值):1.5V

電流 - 非重復浪涌 50、60Hz (Itsm):65A,71A

電流 - 柵極觸發 (Igt)(最大值):25mA

電流 - 保持 (Ih)(最大值):20mA

配置:單路

工作溫度:125°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片

供應商器件封裝:TO-220F

VISHAY

數據手冊

二極管類型:標準

電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):400V

電流 - 平均整流 (Io):1A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1V @ 1A

速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)

反向恢復時間 (trr):2μs

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:1μA @ 400V

不同?Vr、F 時電容:-

安裝類型:通孔

封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向

供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41)

工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C

Infineon

數據手冊

二極管類型:肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):30V

電流 - 平均整流 (Io):200mA(DC)

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):800mV @ 100mA

速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢復時間 (trr):5ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:2μA @ 25V

不同?Vr、F 時電容:10pF @ 1V,1MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SOD-882

供應商器件封裝:PG-TSLP-2-7

工作溫度 - 結:150°C(最大)

電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V

容差:±5%

功率 - 最大值:3W

阻抗(最大值)(Zzt):28 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:1μA @ 22.8V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.5V @ 200mA

工作溫度:-55°C ~ 150°C

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:DO-214AA,SMB

供應商器件封裝:DO-214AA(SMB)

Macom

數據手冊

電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V

容差:±5%

阻抗(最大值)(Zzt):70 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:500nA @ 27V

工作溫度:-65°C ~ 175°C

安裝類型:通孔

封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向

供應商器件封裝:DO-35(DO-204AH)

Diodes

數據手冊

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):250mV @ 100mA,1A

電流 - 集電極截止(最大值):10nA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:500mW

頻率 - 躍遷:210MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-70,SOT-323

供應商器件封裝:SOT-323

Infineon

數據手冊

二極管類型:標準

電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):1600V

電流 - 平均整流 (Io):104A

速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io)

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:20mA @ 1600V

不同?Vr、F 時電容:-

安裝類型:底座安裝

封裝/外殼:模塊

供應商器件封裝:BG-PB20-1

工作溫度 - 結:-40°C ~ 135°C

二極管配置:1 對共陰極

二極管類型:肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):40V

電流 - 平均整流 (Io)(每二極管):20A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):580mV @ 10A

速度:快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:360μA @ 40V

工作溫度 - 結:150°C(最大)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

供應商器件封裝:TO-252

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