全球電子供應鏈智慧平臺

二極管配置：1 對共陽極

二極管類型：肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：30V

電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：200mA（DC）

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：800mV @ 100mA

速度：小信號 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢復時間 (trr)：5ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：2μA @ 25V

工作溫度 - 結：150°C（最大）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商器件封裝：TO-236AB

二極管類型：標準

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：125V

電流 - 平均整流 (Io)：200mA

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.15V @ 300mA

速度：小信號 =< 200mA（Io），任意速度

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：3nA @ 125V

不同?Vr、F 時電容：6pF @ 0V，1MHz

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商器件封裝：SOD-80

工作溫度 - 結：175°C（最大）

IGBT 類型：-

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：40A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：160A

不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，20A

功率 - 最大值：160W

開關能量：160μJ（開），200μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：97nC

25°C 時 Td（開/關）值：15ns/65ns

測試條件：300V，20A，10 歐姆，15V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3

供應商器件封裝：TO-3P

電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)：7.5V

容差：±5%

功率 - 最大值：500mW

阻抗（最大值）(Zzt)：15 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：1μA @ 5V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA

工作溫度：-55°C ~ 150°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOD-123

供應商器件封裝：SOD-123

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：20V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：1V @ 100mA，4A

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：1W

頻率 - 躍遷：170MHz

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

供應商器件封裝：PW-MOLD

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：75A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.1 毫歐 @ 75A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：110nC @ 5V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5080pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：230W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：D2PAK

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

IGBT 類型：溝槽型場截止

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：60A

電流 - 集電極脈沖 (Icm)：120A

不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A

功率 - 最大值：189W

開關能量：750μJ（開），540μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：90nC

25°C 時 Td（開/關）值：57ns/109ns

測試條件：400V，30A，10 歐姆，15V

反向恢復時間 (trr)：200ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-247-3

供應商器件封裝：TO-247

二極管類型：標準

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400V

電流 - 平均整流 (Io)：1A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.25V @ 1A

速度：快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢復時間 (trr)：50ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5μA @ 400V

不同?Vr、F 時電容：15pF @ 4V，1MHz

安裝類型：通孔

封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向

供應商器件封裝：DO-204AL（DO-41）

工作溫度 - 結：-65°C ~ 150°C

電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)：16V

容差：±5%

功率 - 最大值：1W

阻抗（最大值）(Zzt)：15 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：50nA @ 11V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1V @ 50mA

工作溫度：200°C

安裝類型：通孔

封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向

供應商器件封裝：DO-41

二極管配置：1 對共陰極

二極管類型：肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：45V

電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：10A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：750mV @ 10A

速度：快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：200μA @ 45V

工作溫度 - 結：-55°C ~ 175°C

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220AB

電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)：5.1V

容差：±5%

功率 - 最大值：300mW

阻抗（最大值）(Zzt)：80 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：2μA @ 1.5V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.1V @ 10mA

工作溫度：-55°C ~ 150°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：0201（0603 公制）

供應商器件封裝：2-X3DFN（0.62x0.32）

FET 類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：7.7A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：25 毫歐 @ 5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：53.1nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2569pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 155°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PowerDI3333-8

封裝/外殼：8-PowerVDFN

電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)：75V

容差：±2%

功率 - 最大值：500mW

阻抗（最大值）(Zzt)：250 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：100nA @ 56V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.5V @ 200mA

工作溫度：-65°C ~ 175°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

供應商器件封裝：SOD-80 MiniMELF

電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)：3.6V

容差：-

功率 - 最大值：500mW

阻抗（最大值）(Zzt)：100 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5μA @ 1V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.5V @ 200mA

工作溫度：-65°C ~ 175°C

安裝類型：通孔

封裝/外殼：DO-204AH，DO-35，軸向

供應商器件封裝：DO-35

電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)：2.2V

容差：±5%

功率 - 最大值：150mW

阻抗（最大值）(Zzt)：100 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：100μA @ 1V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA

工作溫度：-55°C ~ 125°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：2-SMD，無引線

供應商器件封裝：0603/SOD-523F

電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)：5.1V

容差：±5%

功率 - 最大值：150mW

阻抗（最大值）(Zzt)：17 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：5μA @ 2V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：900mV @ 10mA

工作溫度：-65°C ~ 150°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-523

供應商器件封裝：SOT-523

結構：串聯 - SCR/二極管

SCR 數，二極管：1 SCR，1 個二極管

電壓 - 斷態：1.6kV

電流 - 通態 (It (AV))（最大值）：105A

電流 - 通態 (It (RMS))（最大值）：235A

電壓 - 柵極觸發 (Vgt)（最大值）：2.5V

電流 - 柵極觸發 (Igt)（最大值）：150mA

電流 - 非重復浪涌 50、60Hz (Itsm)：2000A，2094A

電流 - 保持 (Ih)（最大值）：250mA

工作溫度：-40°C ~ 130°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：ADD-A-PAK（3）

雙向可控硅類型：標準

電壓 - 斷態：600V

電流 - 通態 (It (RMS))（最大值）：8A

電壓 - 柵極觸發 (Vgt)（最大值）：1.5V

電流 - 非重復浪涌 50、60Hz (Itsm)：65A，71A

電流 - 柵極觸發 (Igt)（最大值）：25mA

電流 - 保持 (Ih)（最大值）：20mA

配置：單路

工作溫度：125°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片

供應商器件封裝：TO-220F

二極管類型：標準

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400V

電流 - 平均整流 (Io)：1A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1V @ 1A

速度：標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢復時間 (trr)：2μs

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：1μA @ 400V

不同?Vr、F 時電容：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：DO-204AL，DO-41，軸向

供應商器件封裝：DO-204AL（DO-41）

工作溫度 - 結：-65°C ~ 175°C

二極管類型：肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：30V

電流 - 平均整流 (Io)：200mA（DC）

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：800mV @ 100mA

速度：小信號 =< 200mA（Io），任意速度

反向恢復時間 (trr)：5ns

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：2μA @ 25V

不同?Vr、F 時電容：10pF @ 1V，1MHz

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOD-882

供應商器件封裝：PG-TSLP-2-7

工作溫度 - 結：150°C（最大）

電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)：30V

容差：±5%

功率 - 最大值：3W

阻抗（最大值）(Zzt)：28 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：1μA @ 22.8V

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.5V @ 200mA

工作溫度：-55°C ~ 150°C

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：DO-214AA，SMB

供應商器件封裝：DO-214AA（SMB）

電壓 - 齊納（標稱值）(Vz)：36V

容差：±5%

阻抗（最大值）(Zzt)：70 Ohms

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：500nA @ 27V

工作溫度：-65°C ~ 175°C

安裝類型：通孔

封裝/外殼：DO-204AH，DO-35，軸向

供應商器件封裝：DO-35（DO-204AH）

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：20V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：250mV @ 100mA，1A

電流 - 集電極截止（最大值）：10nA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：500mW

頻率 - 躍遷：210MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SC-70，SOT-323

供應商器件封裝：SOT-323

二極管類型：標準

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1600V

電流 - 平均整流 (Io)：104A

速度：標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：20mA @ 1600V

不同?Vr、F 時電容：-

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

供應商器件封裝：BG-PB20-1

工作溫度 - 結：-40°C ~ 135°C

二極管配置：1 對共陰極

二極管類型：肖特基

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：40V

電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：20A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：580mV @ 10A

速度：快速恢復 =< 500ns，> 200mA（Io）

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：360μA @ 40V

工作溫度 - 結：150°C（最大）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

供應商器件封裝：TO-252