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Infineon

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):75A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):3.1 毫歐 @ 75A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):110nC @ 5V

Vgs(最大值):±16V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5080pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):230W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:D2PAK

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

Diodes

數據手冊

FET 類型:P 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):7.7A(Ta)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):25 毫歐 @ 5A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):53.1nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2569pF @ 30V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1W(Ta)

工作溫度:-55°C ~ 155°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PowerDI3333-8

封裝/外殼:8-PowerVDFN

VISHAY

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):600V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):21A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):180 毫歐 @ 11A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):82nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1757pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):35W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-220 整包

封裝/外殼:TO-220-3 整包

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):75V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):75A(Tj)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):8.5 毫歐 @ 25A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

Vgs(最大值):±10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):8840pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):230W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-220AB

封裝/外殼:TO-220-3

Infineon

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):80A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):3.4 毫歐 @ 80A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):213nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):7930pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):300W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:PG-TO220-3-1

封裝/外殼:TO-220-3

IXYS

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):200V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):-

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):73 毫歐 @ 8A,0V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):208nC @ 5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5500pF @ 25V

FET 功能:耗盡模式

功率耗散(最大值):695W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-247(IXTH)

封裝/外殼:TO-247-3

VISHAY

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):12A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):18 毫歐 @ 9A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):570pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.5W(Ta),19W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PowerPAK? SC-70-6 單

封裝/外殼:PowerPAK? SC-70-6

Diodes

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16A(Ta),45A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):5.5 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2000pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):900mW(Ta)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PowerDI3333-8

封裝/外殼:8-PowerVDFN

Diodes

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):100V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):10A(Ta),42A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):13.5 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):33.3nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1871pF @ 50V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta),35W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PowerDI3333-8

封裝/外殼:8-PowerVDFN

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):150V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):11.5A(Ta),152A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):6.2 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):136nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6460pF @ 75V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.1W(Ta),375W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:TO-263(D2Pak)

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

Nexperia

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):1A(Ta)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):254 毫歐 @ 900mA, 4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):1.65nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):81pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):342mW(Ta)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:SOT-323

封裝/外殼:SC-70,SOT-323

Infineon

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):195A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.4 毫歐 @ 100A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 150μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):225nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):7437pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):231W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:D2PAK(7-Lead)

封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA

Nexperia

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):75A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):7.4 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1730pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):96W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:I2PAK

封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

Toshiba

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):600V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):6.2A(Ta)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):820 毫歐 @ 3.1A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 310μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):390pF @ 300V

FET 功能:超級結

功率耗散(最大值):60W(Tc)

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:I-PAK

封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak

IXYS

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):1000V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):1A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):15 歐姆 @ 500mA,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):15.5nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):331pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):50W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:TO-263(IXTA)

封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

Infineon

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):500V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):2.4A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):13V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):2 歐姆 @ 600mA,13V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 50μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):124pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):33W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PG-TO252-3

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):15A(Ta),40A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):7.5 毫歐 @ 20A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1380pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.1W(Ta),25W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:8-DFN(3x3)

封裝/外殼:8-PowerVDFN

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):600V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):22A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):135 毫歐 @ 10.75A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):47nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1700pF @ 100V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):190W(Tc)

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV

封裝/外殼:8-PowerVDFN

Panasonic

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16A(Ta),59A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):4.1 毫歐 @ 12A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 2.56mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):17nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2940pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta),24.6W(Tc)

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:HSSO8-F1-B

封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線

VISHAY

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):30A(Ta),60A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):3.6 毫歐 @ 10A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):36.2nC @ 10V

Vgs(最大值):+20V,-16V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1710pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):5W(Ta),43W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:PowerPAK? SO-8

封裝/外殼:PowerPAK? SO-8

VISHAY

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16.5A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):9 毫歐 @ 10A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1525pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),4.45W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:8-SO

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):9A(Ta),54A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,11.5V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):10 毫歐 @ 30A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1225pF @ 12V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):1.28W(Ta),50W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:DPAK

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

Infineon

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):500V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):3.6A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):2.2 歐姆 @ 2.2A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):20nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):810pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):78W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-220AB

封裝/外殼:TO-220-3

Infineon

數據手冊

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):650V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):4.5A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):950 毫歐 @ 2.8A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 200μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):490pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):50W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:PG-TO251-3

封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak

FET 類型:N 通道

技術:MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):600V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):8.7A(Tc)

驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):680 毫歐 @ 7A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):-

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):46nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1200pF @ 30V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2W(Ta),40W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-220F-3FS

封裝/外殼:TO-220-3 整包

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