全球電子供應鏈智慧平臺

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：75A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.1 毫歐 @ 75A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：110nC @ 5V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5080pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：230W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：D2PAK

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

FET 類型：P 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：7.7A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：25 毫歐 @ 5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：53.1nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2569pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 155°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PowerDI3333-8

封裝/外殼：8-PowerVDFN

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：21A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 11A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：82nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1757pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：35W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-220 整包

封裝/外殼：TO-220-3 整包

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：75V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：75A（Tj）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：8.5 毫歐 @ 25A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA

Vgs（最大值）：±10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：8840pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：230W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-220AB

封裝/外殼：TO-220-3

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：80A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.4 毫歐 @ 80A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：213nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7930pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO220-3-1

封裝/外殼：TO-220-3

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：16A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：73 毫歐 @ 8A，0V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：208nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5500pF @ 25V

FET 功能：耗盡模式

功率耗散（最大值）：695W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247（IXTH）

封裝/外殼：TO-247-3

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：12A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 9A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：570pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），19W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PowerPAK? SC-70-6 單

封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：16A（Ta），45A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5.5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：42nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2000pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：900mW（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PowerDI3333-8

封裝/外殼：8-PowerVDFN

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：10A（Ta），42A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：13.5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：33.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1871pF @ 50V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta），35W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PowerDI3333-8

封裝/外殼：8-PowerVDFN

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：150V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：11.5A（Ta），152A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：6.2 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：136nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6460pF @ 75V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），375W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：TO-263（D2Pak）

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：1A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：254 毫歐 @ 900mA, 4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.25V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.65nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：81pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：342mW（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：SOT-323

封裝/外殼：SC-70，SOT-323

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：195A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.4 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 150μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：225nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7437pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：231W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：D2PAK（7-Lead）

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：75A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7.4 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1730pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：96W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：I2PAK

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：6.2A（Ta）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：820 毫歐 @ 3.1A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 310μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：390pF @ 300V

FET 功能：超級結

功率耗散（最大值）：60W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：I-PAK

封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：1000V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：1A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：15 歐姆 @ 500mA，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：331pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：50W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：TO-263（IXTA）

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：500V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：2.4A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：13V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2 歐姆 @ 600mA，13V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 50μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：124pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：33W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO252-3

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：15A（Ta），40A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7.5 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1380pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），25W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-DFN（3x3）

封裝/外殼：8-PowerVDFN

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：22A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：135 毫歐 @ 10.75A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：47nC @ 10V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1700pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：190W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PowerFlat?（8x8） HV

封裝/外殼：8-PowerVDFN

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：16A（Ta），59A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.1 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 2.56mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2940pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta），24.6W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：HSSO8-F1-B

封裝/外殼：8-PowerSMD，扁平引線

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：30A（Ta），60A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：3.6 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：36.2nC @ 10V

Vgs（最大值）：+20V，-16V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1710pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：5W（Ta），43W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PowerPAK? SO-8

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：16.5A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：9 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1525pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），4.45W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-SO

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：9A（Ta），54A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，11.5V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 30A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1225pF @ 12V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.28W（Ta），50W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：DPAK

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：500V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：3.6A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.2 歐姆 @ 2.2A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：810pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：78W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-220AB

封裝/外殼：TO-220-3

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：4.5A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：950 毫歐 @ 2.8A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 200μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：490pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：50W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：PG-TO251-3

封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：8.7A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：680 毫歐 @ 7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：46nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1200pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta），40W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-220F-3FS

封裝/外殼：TO-220-3 整包