FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):75A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 類型:P 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):7.7A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):21A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):75V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):75A(Tj)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):80A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):200V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):-
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):12A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16A(Ta),45A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):10A(Ta),42A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):1A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):195A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):75A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):6.2A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):1000V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):1A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):500V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):2.4A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):13V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):22A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16A(Ta),59A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):30A(Ta),60A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):16.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):30V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):9A(Ta),54A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,11.5V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):500V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):3.6A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):650V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):4.5A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):8.7A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V