全球電子供應鏈智慧平臺

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：30A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：9.5 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：30nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1500pF @ 25V

功率 - 最大值：48W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8 雙

供應商器件封裝：PowerPAK? SO-8 雙

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：11.3A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：95 毫歐 @ 4A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：220pF @ 25V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8 雙

供應商器件封裝：PowerPAK? SO-8 雙

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：6A，4.3A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：47 毫歐 @ 3.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：9nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：305pF @ 15V

功率 - 最大值：2.78W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SO

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：2.9A，2.1A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：120 毫歐 @ 2.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA（最?。?/p>

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.9nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：190pF @ 25V

功率 - 最大值：1.7W

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-MLP（3x2）

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：9.7A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：15.5 毫歐 @ 9.7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：90nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：760pF @ 15V

功率 - 最大值：2W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SO

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：7A（Ta）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11.8nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：600pF @ 10V

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SOP

FET 類型：2 個 N 通道（半橋）

FET 功能：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：1.7A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：70 毫歐 @ 2A，5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 600μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.73nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：75pF @ 50V

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：模具

供應商器件封裝：模具

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：610mA（Ta）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：396 毫歐 @ 500mA，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2nC @ 8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：43pF @ 10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-563

供應商器件封裝：SC-89-6

FET 類型：2 個 N 通道（半橋）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：8.4A，8A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：21 毫歐 @ 8A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10.5nC @ 4.5V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SO

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：4.5A（Ta）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：55 毫歐 @ 4.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：910pF @ 24V

功率 - 最大值：2.4W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SOP

FET 類型：2 N 溝道（雙）非對稱型

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：17A，25A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5 毫歐 @ 17A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：24nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1715pF @ 15V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-PowerWDFN

供應商器件封裝：電源夾 Clip56

FET 類型：2 N 溝道（雙）共漏

FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅動

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.5nC @ 4.5V

功率 - 最大值：1.4W

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：140mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5 歐姆 @ 100mA，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：12pF @ 15V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：SOT-963

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：7A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11.8nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：600pF @ 10V

功率 - 最大值：2W

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SOP

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：3A，2A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：93 毫歐 @ 1.5A，10V

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12.8nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：560pF @ 20V

功率 - 最大值：1.5W

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SMD

供應商器件封裝：8-ECH

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：21A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：42 毫歐 @ 5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：33.5nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2152pF @ 25V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK56D

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：8.1A，7A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：32 毫歐 @ 7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：9.2nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：404.5pF @ 15V

功率 - 最大值：2.5W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SO

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：2.5A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：95 毫歐 @ 2.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.2nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：220pF @ 15V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-23-6 細型

供應商器件封裝：SuperSOT?-6

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：245mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7 歐姆 @ 125mA，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.75nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：20pF @ 5V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：6-WDFN（2x2）

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：9.8A（Ta），27A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：17 毫歐 @ 7.5A， 10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 20μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：6.3nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：325pF @ 25V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-DFN（5x6）雙標記（SO8FL-雙通道）

FET 類型：N 和 P 溝道

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：30A（Tc）

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：27 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：38.1nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1850pF @ 20V

功率 - 最大值：48W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：PowerPAK? SO-8 雙

供應商器件封裝：PowerPAK? SO-8 雙

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：200mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1 歐姆 @ 200mA，4V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：25pF @ 10V

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-563

供應商器件封裝：EMT6

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V，20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：9.3A，5.6A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 9.3A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1958pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SOIC

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：4A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：46 毫歐 @ 2A，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：310pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：6-μDFN（2x2）

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：1.8A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：195 毫歐 @ 2.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：8nC @ 10V

功率 - 最大值：1.3W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：1212

供應商器件封裝：PowerPAK? 1212-8 雙