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vishay

數據手冊

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:標準

漏源電壓(Vdss):40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):30A(Tc)

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):9.5 毫歐 @ 10A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1500pF @ 25V

功率 - 最大值:48W

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 雙

供應商器件封裝:PowerPAK? SO-8 雙

vishay

數據手冊

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:標準

漏源電壓(Vdss):100V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):11.3A(Tc)

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):95 毫歐 @ 4A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):7nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):220pF @ 25V

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 雙

供應商器件封裝:PowerPAK? SO-8 雙

vishay

數據手冊

FET 類型:N 和 P 溝道

FET 功能:標準

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):6A,4.3A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):47 毫歐 @ 3.5A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):9nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):305pF @ 15V

功率 - 最大值:2.78W

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-SOIC(0.154"

供應商器件封裝:8-SO

DIODES

數據手冊

FET 類型:N 和 P 溝道

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):2.9A,2.1A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):120 毫歐 @ 2.5A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最?。?/p>

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):3.9nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):190pF @ 25V

功率 - 最大值:1.7W

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:8-MLP(3x2)

Infineon

數據手冊

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):9.7A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):15.5 毫歐 @ 9.7A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.35V @ 25μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):90nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):760pF @ 15V

功率 - 最大值:2W

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-SOIC(0.154"

供應商器件封裝:8-SO

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:標準

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):7A(Ta)

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):24 毫歐 @ 7A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):11.8nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):600pF @ 10V

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-SOIC(0.154"

供應商器件封裝:8-SOP

FET 類型:2 個 N 通道(半橋)

FET 功能:GaNFET(氮化鎵)

漏源電壓(Vdss):100V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):1.7A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):70 毫歐 @ 2A,5V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 600μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):0.73nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):75pF @ 50V

工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:模具

供應商器件封裝:模具

vishay

數據手冊

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):610mA(Ta)

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):396 毫歐 @ 500mA,4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):2nC @ 8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):43pF @ 10V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SOT-563

供應商器件封裝:SC-89-6

vishay

數據手冊

FET 類型:2 個 N 通道(半橋)

FET 功能:標準

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):8.4A,8A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):21 毫歐 @ 8A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):10.5nC @ 4.5V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-SOIC(0.154"

供應商器件封裝:8-SO

Taiwan Semiconductor Corporation

數據手冊

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:標準

漏源電壓(Vdss):60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):4.5A(Ta)

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):55 毫歐 @ 4.5A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):910pF @ 24V

功率 - 最大值:2.4W

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-SOIC(0.154"

供應商器件封裝:8-SOP

FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型

FET 功能:標準

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):17A,25A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):5 毫歐 @ 17A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1715pF @ 15V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-PowerWDFN

供應商器件封裝:電源夾 Clip56

FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏

FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):7.5nC @ 4.5V

功率 - 最大值:1.4W

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

FET 類型:2 個 P 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):140mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):5 歐姆 @ 100mA,4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):12pF @ 15V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:SOT-963

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):7A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):24 毫歐 @ 7A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):11.8nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):600pF @ 10V

功率 - 最大值:2W

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-SOIC(0.154"

供應商器件封裝:8-SOP

FET 類型:N 和 P 溝道

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):3A,2A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):93 毫歐 @ 1.5A,10V

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):12.8nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):560pF @ 20V

功率 - 最大值:1.5W

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-SMD

供應商器件封裝:8-ECH

Nexperia

數據手冊

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):100V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):21A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):42 毫歐 @ 5A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):33.5nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2152pF @ 25V

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:LFPAK56D

DIODES

數據手冊

FET 類型:N 和 P 溝道

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):8.1A,7A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):32 毫歐 @ 7A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):9.2nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):404.5pF @ 15V

功率 - 最大值:2.5W

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-SOIC(0.154"

供應商器件封裝:8-SO

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):2.5A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):95 毫歐 @ 2.5A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):3.2nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):220pF @ 15V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SOT-23-6 細型

供應商器件封裝:SuperSOT?-6

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):245mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):7 歐姆 @ 125mA,4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):0.75nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):20pF @ 5V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝:6-WDFN(2x2)

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:標準

漏源電壓(Vdss):40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):9.8A(Ta),27A(Tc)

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):17 毫歐 @ 7.5A, 10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 20μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):6.3nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):325pF @ 25V

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:8-DFN(5x6)雙標記(SO8FL-雙通道)

vishay

數據手冊

FET 類型:N 和 P 溝道

漏源電壓(Vdss):40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):30A(Tc)

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):27 毫歐 @ 6A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):38.1nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1850pF @ 20V

功率 - 最大值:48W

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 雙

供應商器件封裝:PowerPAK? SO-8 雙

FET 類型:N 和 P 溝道

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):200mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1 歐姆 @ 200mA,4V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):25pF @ 10V

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SOT-563

供應商器件封裝:EMT6

FET 類型:N 和 P 溝道

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):30V,20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):9.3A,5.6A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):18 毫歐 @ 9.3A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):27nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1958pF @ 10V

功率 - 最大值:1W

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-SOIC(0.154"

供應商器件封裝:8-SOIC

Toshiba

數據手冊

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:標準

漏源電壓(Vdss):30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):4A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):46 毫歐 @ 2A,4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):4nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):310pF @ 10V

功率 - 最大值:1W

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝:6-μDFN(2x2)

vishay

數據手冊

FET 類型:2 N-通道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源電壓(Vdss):100V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id):1.8A

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):195 毫歐 @ 2.5A,10V

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):8nC @ 10V

功率 - 最大值:1.3W

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:1212

供應商器件封裝:PowerPAK? 1212-8 雙

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