全球電子供應鏈智慧平臺

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：250mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.5 歐姆 @ 10mA，4V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 100μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：1.3nC @ 5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：33pF @ 5V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-TSSOP

供應商器件封裝：SC-88/SC70-6/SOT-363

FET 類型：N 和 P 溝道互補型

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：40V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：8.3A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：24 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：19.1nC @ 20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1060pF @ 20V

功率 - 最大值：1.5W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：TO-252-4L

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V，20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：1.5A，1A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：240 毫歐 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.2nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：80pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-SMD

供應商器件封裝：TUMT6

FET 類型：2 N 溝道（雙）共漏

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：8.58A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：14.5 毫歐 @ 9.4A，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：16.5nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1495pF @ 10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"

供應商器件封裝：8-TSSOP

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：230mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：7.5 歐姆 @ 50mA，5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 25V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-TSSOP

供應商器件封裝：SOT-363

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：870mA，640mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：400 毫歐 @ 600mA，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.74nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：60.67pF @ 16V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-563

供應商器件封裝：SOT-563

FET 類型：2 個 P 溝道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：50V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：160mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：8 歐姆 @ 100mA，5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：27pF @ 25V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-563

供應商器件封裝：SOT-563

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：3A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：70 毫歐 @ 3A，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：324pF @ 10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-23-6 細型

供應商器件封裝：SuperSOT?-6

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：50V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：280mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2 歐姆 @ 50mA，5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 25V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-563

供應商器件封裝：SOT-563

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：1.5A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：216 毫歐 @ 1.8A，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：3nC @ 8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：95pF @ 10V

功率 - 最大值：3.1W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PowerPAK? SC-75-6L 雙

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：8.5A，7A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：21 毫歐 @ 7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：16.1nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：767pF @ 10V

功率 - 最大值：2.5W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SO

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：3A，2.2A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：70 毫歐 @ 3A，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.6nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：324pF @ 10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SOT-23-6 細型

供應商器件封裝：SuperSOT?-6

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：80V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：3.6A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：73 毫歐 @ 2.2A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：660pF @ 25V

功率 - 最大值：2W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SO

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：6.5A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：41 毫歐 @ 5.3A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：840pF @ 30V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SO

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：180mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.5 歐姆 @ 100mA，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.44nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：13pF @ 10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-TSSOP

供應商器件封裝：6-TSSOP

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：725mA，500mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：380 毫歐 @ 500mA，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.68nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：83pF @ 10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-TSSOP

供應商器件封裝：6-TSSOP

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：標準

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：40A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：30.1nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2163pF @ 25V

功率 - 最大值：64W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK56D

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：22A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：32 毫歐 @ 5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：14.2nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1081pF @ 25V

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK56D

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：170mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：4.5 歐姆 @ 100mA，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.43nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：17pF @ 10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-TSSOP

供應商器件封裝：6-TSSOP

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：350mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.4 歐姆 @ 350mA，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.68nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：50pF @ 15V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-TSSOP

供應商器件封裝：6-TSSOP

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V，8V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：630mA，775mA

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：375 毫歐 @ 630mA，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：3nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：46pF @ 20V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-TSSOP

供應商器件封裝：SC-88/SC70-6/SOT-363

FET 類型：N 和 P 溝道

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：29 毫歐 @ 5.8A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：33nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：650pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SO

FET 類型：2 P 溝道（雙）共源

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：20V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：1.6A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：68 毫歐 @ 1A，4.5V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.5nC @ 4.5V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：410pF @ 10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：6-DSBGA

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：8A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：17.8 毫歐 @ 8A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 50μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：36nC @ 10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1330pF @ 30V

功率 - 最大值：2W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SO

FET 類型：2 N-通道（雙）

FET 功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：4.4A

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：36 毫歐 @ 5.9A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 10V

功率 - 最大值：1.1W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"

供應商器件封裝：8-SO