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晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):600mV @ 5mA,100mA

電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V

頻率 - 躍遷:100MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-75

供應商器件封裝:SC-75,SOT-416

Nexperia

數據手冊

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):650mV @ 5mA,100mA

電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):220 @ 2mA,5V

頻率 - 躍遷:100MHz

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-236-3

供應商器件封裝:TO-236AB

晶體管類型:PNP - 達林頓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):5A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):4V @ 20mA,5A

電流 - 集電極截止(最大值):2mA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 3A,3V

功率 - 最大值:2W

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應商器件封裝:TO-220-3

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):10A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):700mV @ 700mA,7A

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):70 @ 3A,4V

功率 - 最大值:100W

頻率 - 躍遷:20MHz

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-3P-3

供應商器件封裝:TO-3P

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):4A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):800mV @ 300mA,3A

電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):40 @ 500mA,1V

功率 - 最大值:36W

頻率 - 躍遷:3MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-225AA

供應商器件封裝:TO-225AA

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):6A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 600mA,6A

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1A,2V

頻率 - 躍遷:100MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-261-4

供應商器件封裝:SOT-223

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):600mV @ 5mA,100mA

電流 - 集電極截止(最大值):15nA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V

頻率 - 躍遷:300MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-226-3

供應商器件封裝:TO-92-3

DIODES

數據手冊

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:1W

頻率 - 躍遷:200MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-261-4

供應商器件封裝:SOT-223

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):5A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):170mV @ 400mA,4A

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):250 @ 1A,2V

頻率 - 躍遷:100MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

供應商器件封裝:ChipFET?

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):8A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):500mV @ 200mA,4A

電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):140 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:1W

頻率 - 躍遷:130MHz

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-252-3

供應商器件封裝:2-TP-FA

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1.5A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):375mV @ 15mA,750mA

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V

功率 - 最大值:1W

頻率 - 躍遷:450MHz

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:6-SMD

供應商器件封裝:6-MCPH

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):8A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):1V @ 400mA,8A

電流 - 集電極截止(最大值):1μA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:1.75W

頻率 - 躍遷:85MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-252-3

供應商器件封裝:DPAK

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):800mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):45V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):700mV @ 50mA,500mA

電流 - 集電極截止(最大值):100nA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):250 @ 100mA,1V

頻率 - 躍遷:210MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-226-3

供應商器件封裝:TO-92-3

Nexperia

數據手冊

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):63 @ 150mA,2V

頻率 - 躍遷:145MHz

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:3-PowerUDFN

供應商器件封裝:3-HUSON(2x2)

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):3A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):1.7V @ 600mA,3A

電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):50 @ 100mA,1V

功率 - 最大值:1.5W

頻率 - 躍遷:50MHz

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-225AA

供應商器件封裝:TO-126-3

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):15A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):3.5V @ 5A,15A

電流 - 集電極截止(最大值):1mA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):20 @ 5A,4V

功率 - 最大值:1.8W

頻率 - 躍遷:5MHz

工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應商器件封裝:TO-220AB

Infineon

數據手冊

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):500mV @ 100mA,1A

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):160 @ 500mA,1V

功率 - 最大值:3W

頻率 - 躍遷:100MHz

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-261-4

供應商器件封裝:PG-SOT223-4

DIODES

數據手冊

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):2A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):180mV @ 50mA,1A

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):270 @ 200mA,2V

頻率 - 躍遷:170MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-243AA

供應商器件封裝:SOT-89-3

DIODES

數據手冊

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):650mV @ 200mA,2A

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:2W

頻率 - 躍遷:100MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-261-4

供應商器件封裝:SOT-223

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):7A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):200V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):1V @ 500mA,5A

電流 - 集電極截止(最大值):5mA

功率 - 最大值:60W

頻率 - 躍遷:10MHz

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應商器件封裝:TO-220-3

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):150mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):500mV @ 2mA,200mA

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):25 @ 1mA,10V

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-70

供應商器件封裝:SC-70-3(SOT323)

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):5A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):550mV @ 150mA,3A

電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V

功率 - 最大值:1W

頻率 - 躍遷:130MHz

工作溫度:150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-252-3

供應商器件封裝:2-TP-FA

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):600mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):140V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):250mV @ 5mA,50mA

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):60 @ 10mA,5V

頻率 - 躍遷:300MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-226-3

供應商器件封裝:TO-92-3

晶體管類型:NPN

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):8A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):1V @ 400mA,8A

電流 - 集電極截止(最大值):1μA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):40 @ 4A,1V

功率 - 最大值:1.75W

頻率 - 躍遷:85MHz

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-252-3

供應商器件封裝:DPAK

晶體管類型:PNP

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):1.5A

電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):500mV @ 50mA,500mA

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):40 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:1.5W

頻率 - 躍遷:50MHz

工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-261-4

供應商器件封裝:SOT-223-3

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