全球電子供應鏈智慧平臺

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：45V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA

電流 - 集電極截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 2mA，5V

頻率 - 躍遷：100MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SC-75

供應商器件封裝：SC-75，SOT-416

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：45V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：650mV @ 5mA，100mA

電流 - 集電極截止（最大值）：15nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：220 @ 2mA，5V

頻率 - 躍遷：100MHz

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-236-3

供應商器件封裝：TO-236AB

晶體管類型：PNP - 達林頓

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：4V @ 20mA，5A

電流 - 集電極截止（最大值）：2mA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：1000 @ 3A，3V

功率 - 最大值：2W

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220-3

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：10A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：140V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：700mV @ 700mA，7A

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：70 @ 3A，4V

功率 - 最大值：100W

頻率 - 躍遷：20MHz

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-3P-3

供應商器件封裝：TO-3P

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：4A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：800mV @ 300mA，3A

電流 - 集電極截止（最大值）：100μA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 500mA，1V

功率 - 最大值：36W

頻率 - 躍遷：3MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-225AA

供應商器件封裝：TO-225AA

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：6A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：300mV @ 600mA，6A

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1A，2V

頻率 - 躍遷：100MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-261-4

供應商器件封裝：SOT-223

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：600mV @ 5mA，100mA

電流 - 集電極截止（最大值）：15nA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：420 @ 2mA，5V

頻率 - 躍遷：300MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3

供應商器件封裝：TO-92-3

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：1W

頻率 - 躍遷：200MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-261-4

供應商器件封裝：SOT-223

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：12V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：170mV @ 400mA，4A

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 1A，2V

頻率 - 躍遷：100MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：ChipFET?

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：8A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 200mA，4A

電流 - 集電極截止（最大值）：1μA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：140 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：1W

頻率 - 躍遷：130MHz

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-252-3

供應商器件封裝：2-TP-FA

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1.5A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：375mV @ 15mA，750mA

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 100mA，2V

功率 - 最大值：1W

頻率 - 躍遷：450MHz

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：6-SMD

供應商器件封裝：6-MCPH

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：8A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：1V @ 400mA，8A

電流 - 集電極截止（最大值）：1μA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：1.75W

頻率 - 躍遷：85MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-252-3

供應商器件封裝：DPAK

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：800mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：45V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：700mV @ 50mA，500mA

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：250 @ 100mA，1V

頻率 - 躍遷：210MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3

供應商器件封裝：TO-92-3

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：63 @ 150mA，2V

頻率 - 躍遷：145MHz

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：3-PowerUDFN

供應商器件封裝：3-HUSON（2x2）

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：3A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：1.7V @ 600mA，3A

電流 - 集電極截止（最大值）：100μA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 100mA，1V

功率 - 最大值：1.5W

頻率 - 躍遷：50MHz

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-225AA

供應商器件封裝：TO-126-3

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：15A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：3.5V @ 5A，15A

電流 - 集電極截止（最大值）：1mA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：20 @ 5A，4V

功率 - 最大值：1.8W

頻率 - 躍遷：5MHz

工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220AB

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：20V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 100mA，1A

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：160 @ 500mA，1V

功率 - 最大值：3W

頻率 - 躍遷：100MHz

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-261-4

供應商器件封裝：PG-SOT223-4

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：2A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：12V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：180mV @ 50mA，1A

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：270 @ 200mA，2V

頻率 - 躍遷：170MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-243AA

供應商器件封裝：SOT-89-3

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：30V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：650mV @ 200mA，2A

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：2W

頻率 - 躍遷：100MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-261-4

供應商器件封裝：SOT-223

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：7A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：200V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：1V @ 500mA，5A

電流 - 集電極截止（最大值）：5mA

功率 - 最大值：60W

頻率 - 躍遷：10MHz

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商器件封裝：TO-220-3

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：150mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：300V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 2mA，200mA

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：25 @ 1mA，10V

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：SC-70

供應商器件封裝：SC-70-3（SOT323）

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：550mV @ 150mA，3A

電流 - 集電極截止（最大值）：1μA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：200 @ 500mA，2V

功率 - 最大值：1W

頻率 - 躍遷：130MHz

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-252-3

供應商器件封裝：2-TP-FA

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：600mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：140V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：250mV @ 5mA，50mA

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：60 @ 10mA，5V

頻率 - 躍遷：300MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-226-3

供應商器件封裝：TO-92-3

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：8A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：1V @ 400mA，8A

電流 - 集電極截止（最大值）：1μA

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 4A，1V

功率 - 最大值：1.75W

頻率 - 躍遷：85MHz

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-252-3

供應商器件封裝：DPAK

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：1.5A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：80V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：500mV @ 50mA，500mA

電流 - 集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：40 @ 150mA，2V

功率 - 最大值：1.5W

頻率 - 躍遷：50MHz

工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：TO-261-4

供應商器件封裝：SOT-223-3