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PANASONIC

數據手冊

晶體管類型:NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):47 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):10 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):30 @ 5mA,10V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):250mV @ 500μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SOT-723

供應商器件封裝:SSSMini3-F2-B

晶體管類型:NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):100 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,10V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):150mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO)

頻率 - 躍遷:250MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-85

供應商器件封裝:UMT3F

FAIRCHILD

數據手冊

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):47 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):47 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):68 @ 5mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

頻率 - 躍遷:200MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-89

供應商器件封裝:SOT-523F

FAIRCHILD

數據手冊

晶體管類型:NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):4.7 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):4.7 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):20 @ 10mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

頻率 - 躍遷:250MHz

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-226-3

供應商器件封裝:TO-92S

PANASONIC

數據手冊

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):4.7 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):160 @ 5mA,10V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):250mV @ 500μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-85

供應商器件封裝:SMini3-F2-B

PANASONIC

數據手冊

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):500mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):4.7 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):4.7 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):50 @ 5mA,10V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):250mV @ 5mA,100mA

電流 - 集電極截止(最大值):1μA

頻率 - 躍遷:200MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-236-3

供應商器件封裝:迷你型3-G1

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):1 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):10 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):33 @ 5mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

頻率 - 躍遷:250MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-70

供應商器件封裝:UMT3

晶體管類型:NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):2.2 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):47 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):150mV @ 500μA,5mA

頻率 - 躍遷:250MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-89

供應商器件封裝:EMT3F(SOT-416FL)

晶體管類型:NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):500mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):10 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):10 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

頻率 - 躍遷:200MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-236-3

供應商器件封裝:SMT3

Nexperia

數據手冊

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):4.7 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):47 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):100mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值):1μA

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-236-3

供應商器件封裝:TO-236AB

Toshiba

數據手冊

晶體管類型:NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):2.2 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):10 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

頻率 - 躍遷:250MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-75

供應商器件封裝:SSM

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):4.7 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):47 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):100mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值):1μA

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-75

供應商器件封裝:SC-75

Toshiba

數據手冊

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):47 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):22 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

頻率 - 躍遷:200MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-70

供應商器件封裝:USM

Toshiba

數據手冊

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):80mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):47 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):22 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):150mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-101

供應商器件封裝:CST3

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):4.7 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):10 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):30 @ 10mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

頻率 - 躍遷:250MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SOT-723

供應商器件封裝:VMT3

晶體管類型:NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):10 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):10 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):35 @ 5mA,10V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):250mV @ 300μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-70

供應商器件封裝:SC-70-3(SOT323)

DIODES

數據手冊

晶體管類型:NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):4.7 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 1mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 250μA,2.5mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO)

頻率 - 躍遷:250MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-70

供應商器件封裝:SOT-323

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):500mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):2.2 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):10 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

頻率 - 躍遷:200MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-70

供應商器件封裝:UMT3

PANASONIC

數據手冊

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):10 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):160 @ 5mA,10V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):250mV @ 500μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-89

供應商器件封裝:SS迷你型3-F3-B

DIODES

數據手冊

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):2.2 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):47 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

頻率 - 躍遷:250MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-236-3

供應商器件封裝:SOT-23-3

Nexperia

數據手冊

晶體管類型:NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):22 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):47 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):150mV @ 500μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):1μA

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-236-3

供應商器件封裝:TO-236AB

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):2.2 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):2.2 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):20 @ 20mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):300mV @ 500μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO)

頻率 - 躍遷:250MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:TO-236-3

供應商器件封裝:SMT3

Nexperia

數據手冊

晶體管類型:NPN - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):10 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):47 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):100mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值):1μA

頻率 - 躍遷:230MHz

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-70

供應商器件封裝:SOT-323

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):22 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):22 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):60 @ 5mA,10V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):250mV @ 300μA,10mA

電流 - 集電極截止(最大值):500nA

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SOT-723

供應商器件封裝:SOT-723

Nexperia

數據手冊

晶體管類型:PNP - 預偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基極 (R1):10 kOhms

電阻器 - 發射極 (R2):47 kOhms

不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V

不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):100mV @ 250μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值):1μA

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:SC-70

供應商器件封裝:SOT-323

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